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成大半導體學院研討會促進產學交流 積極布局第三類半導體研發
勁報
發布於 1 個月前

【勁報記者于郁金/臺南報導】國立成功大學智慧半導體及永續製造學院全臺灣成立最早,合作企業數最多、涵蓋領域也最廣,產學能量豐沛;為更加促進產學交流,成大半導體學院近日下午在自強校區迅慧講堂舉辦「化合物半導體功率元件技術發展合作研討會」,主題探討第三類半導體材料碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)寬能隙元件未來發展應用、技術瓶頸突破和最新研究心得,吸引產學研約40個單位人士參與,現場氣氛熱絡。 成大半導體學院2021年10月22日成立迄今,已與17間企業簽訂合作,產學合作案逾150件,金額突破新臺幣2億元,今(2024)年預計將有3間以上企業投入合作。

成大半導體學院院長蘇炎坤於近日活動開幕式中表示,第三類半導體應用範圍愈來愈廣泛,其高功率應用備受市場期待。是日研討會邀集6位產業界及學術界先進接力演講,期待產學攜手,共同促進臺灣在第三類半導體領域發光發熱。

第三類半導體目前主要發展挑戰在於其功率做動功能及信賴性驗證,受制於高危險係數和高電壓電流測試;如能透過優先建立完整檢測布局,將可迅速提升綠能、電動車市場開發能力,有效縮短功率元件由開發到上市時間,藉以提升臺灣半導體產業國際競爭力。

成大半導體學院積極布局第三類半導體研究,經教育部與國發基金經費注入,已於南科國立成功大學台達大樓建置無塵室進行高功率元件研製與檢測;目前已完成3KV、200A檢測線,並經國科會晶創計畫支持,預計在2025年完成10KV、500A動靜態檢測線。

近年節能議題備受關注,電氣化、數位化和永續發展即為關鍵指標;半導體產業發展被譽為臺灣護國神山,除了龐大經濟效益,能源問題亦不可忽視;碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)寬能隙材料較傳統矽材料更能耐高溫、高壓及高頻高效能特性,在減少能源浪費方面有顯著優勢,尤其在電動車輛、太陽能轉換器等應用中受到關注。

本次研討會首先由華旭矽材公司總經理鄭樵陽以「碳化矽基板與磊晶的關係探討」,揭開活動序幕;國立陽明交通大學電子研究所崔秉鉞教授接續主講「碳化矽局部氧化技術與應用」,國立臺灣大學工程科學及海洋工程學系李坤彥教授探討「碳化矽功率元件跟材料的關係」。

短暫茶敘之後,國立陽明交通大學鴻海研究院半導體研究所所長郭浩中分享「GaN及SiC寬能隙EV半導體近期發展」;盧森堡商達爾國際公司臺灣分公司研發經理蔡明瑋則分析「碳化矽元件產業化趨勢與挑戰」;成大電機系特聘教授梁從主壓軸登場,探討「寬能隙元件SiC與GaN應用於高性能電源轉換器」,提供與會者有關第三類半導體在電能高效轉換及電子電力面向思考。

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